北京超弦存储器研究院招聘

北京超弦存储器研究院于2020年9月在北京经济技术开发区成立。作为产学研合作平台，研究院专注于国际先进的存储器技术研发和高端人才培养，致力于推动国产存储器芯片制造技术的持续进步，力争成为全球存储器芯片技术创新的重要基地。

研究院的研究重点在于DRAM制造技术的尺寸微缩，涵盖DRAM新架构、新材料、新工艺、先进封装、先进光刻技术、近存计算和高带宽存储等领域，探索未来DRAM量产技术的主要发展方向，并进行系统性的工艺研发和设计-制造协同优化。当前的主要研究项目包括4F2垂直围栅晶体管动态随机存储器、铟镓锌氧场效应晶体管动态随机存储器、横向堆叠单元存储器、垂直围栅晶体管磁存储器等基于新器件结构的存储器制造技术；采用混合键合技术的高带宽存储器芯片及近存计算、存内计算等芯片的设计与制造；以及先进DRAM制造中的关键光刻技术和设计技术方法学研究等。

研究院配备了12英寸先进DRAM研发所需的硬件设施，包括传统的1X DRAM全流程基础工艺和一系列由特种设备组成的短流程特色工艺；设计制造协同优化所需的软件平台；以及一支具备丰富芯片工艺和设计研发经验的技术团队。

研究院与清华大学、北京大学、中国科学院微电子研究所等高校和科研机构以及集成电路行业的领先企业建立了紧密的合作关系，共同开展基于项目的研发工作。同时，研究院在人才联合培养方面与这三所机构展开了深入合作，为产业研究生的培养提供了研发和实训平台。