宁波安建半导体有限公司

安建科技专注于功率半导体元器件的设计、研发与销售，是一家高科技公司。其主要产品包括高性能沟槽栅场截止型绝缘栅双极性晶体管（Trench-FS IGBT）、屏蔽栅沟槽型场效应晶体管（Shielded-Gate Trench MOSFET）、高压场效应晶体管（HV MOSFET）、快速恢复场效应晶体管（Fast-Recovery MOSFET）等，广泛应用于电源管理和电机驱动等领域。公司在深圳和中山设有研发中心。技术团队由美国电气电子工程师学会院士（IEEE Fellow）及知名大学教授领衔，核心成员均拥有北美或中国香港著名大学博士学位，并具备在日本整合元件制造商和台湾晶圆代工大厂的工作经验。此外，安建科技与香港科技大学合作开展多项科研项目，并将科研成果应用于提升产品性能。公司技术实力涵盖半导体元器件设计、生产良率控制、产品质量及可靠性保证、元器件测试及失效分析等方面，并拥有多项国内外发明专利，致力于提供世界领先的功率半导体元器件及相关服务。