半导体器件研发工程师
1.5-2.5万·14薪北京市硕士不限经验
职位描述
岗位职责:
1 器件研发:参与半导体激光器及相关器件的结构设计、建模与仿真工作,结合实验反馈不断优化设计。
2 多物理场建模:使用电学、光学、热学等仿真工具,建立并维护多物理场耦合模型,分析器件性能与可靠性。
3 材料与数据管理:对接材料表征团队,理解并利用材料的光电热学参数,维护器件设计相关数据库。
4 实验验证:跟进器件制备与测试流程,对实验结果进行分析,并结合仿真提出改进建议。
5 跨界协作:与工艺、封装、测试等团队紧密合作,确保设计方案可实现并符合产品需求。
6 创新探索:跟踪前沿研究,探索新型材料与结构方案,推动公司器件研发方向的发展。
任职要求:
1 学历背景:硕士及以上学历,半导体物理、微电子、光电子、应用物理等相关专业。
2 核心技能:
- 熟练掌握半导体器件物理原理(包括载流子输运、能带结构、复合机制等)。
- 至少精通一种主流仿真工具(如 COMSOL、Lumerical、Silvaco、Crosslight 等),具备独立建模能力。
3 横向技能:
- 了解半导体工艺流程(外延、光刻、刻蚀、金属化等),能够与工艺工程师有效沟通。
- 熟悉器件光学、电学和热学的基本测试方法,有一定的数据分析能力。
- 具备基础的编程与脚本能力(如 Python/Matlab),能进行数据处理与流程自动化。
加分项:
1 有半导体激光器或相关器件研发经验。
2 具备多物理场联合仿真经验。
3 在国际期刊/会议发表过相关论文或有专利经验。
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