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氮化镓器件研发工程师/主管

1.5-2.5万
徐州市硕士不限经验

职位描述

从事氮化镓HEMT芯片技术的开发,实现新型的氮化镓器件。
职责描述:
1. 负责氮化镓器件设计、仿真和制程工艺研发;
2. 氮化镓器件测试、封装应用及可靠性研究;
3. 器件性能及工艺稳定性持续提升;
4. 设计硅基氮化镓器件的结构和工艺流程;
5. 测试与工艺数据分析,确保开发的工艺流程的可靠性与重复性;
6. 与应用工程师相配合,了解应用与客户需求,并对器件做相应的改进。
7. 参与GaN器件工艺平台的开发;
8. 具备解决GaN器件参数优化及器件可靠性提升的能力;
任职要求:
1. 电子科学与技术、电磁场与微波技术和微电子等相关专业
2. 熟练掌握器件测试仪器操作,包括矢量网络分析仪,半导体参数分析仪等
3. 掌握多种工艺不同类型器件建模,熟练掌握GaAs/GaN HEMT器件建模者优先
4. 具有较强的逻辑思维能力和学习能力
5. 会SILVACO,TCAD模拟者优先;
6. 硕士及以上学历

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