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射频芯片ic设计工程师

10-30k
成都市本科3-5年

职位描述

一、岗位职责:能独立参与砷化镓(GaAs)射频器件的研发设计。
1. 负责设计一种或多种射频、微波芯片,包括但不限于LNA/开关/滤波器/低噪声放大器/功率放大器/压控振荡器减器/移相器/混频器等)
2. 负责完成相关产品设计、仿真、验证、调试、联调和问题定位工作;
3. 配合完成版图设计和投板工作;
4. 完成设计文件的齐套和归档;
5. 配合进行质量、测试等相关工作的开展。
二、任职要求:
1. 电子类相关专业本科或以上学历,熟练掌握射频微波基础知识,3-5年研发设计经验;
2. 熟悉并理解砷化镓(GaAs)工艺流程;
3. 会使用CAD、ADS等设计软件;
4. 英语CET四级水平,具有一定的专业英语阅读和理解能力;
5. 具有较强的沟通能力和学习能力,善于发现问题,解决问题。
三、薪酬福利、职业发展:
1、公司购买五险一金;
2、薪资外其他福利,如午餐补助、交通补助、全勤奖、团建、节假日福利、各项生日礼、慰问金、贺礼等;
3、工作时间9:00——17:30,周末双休,按国家规定休法定节假日、年假、婚假、生育假等;
4、工作地点:成都市双流区泽瑞路333号4栋702
5、公司目前处于快速发展阶段,拥有广阔的成长机遇和晋升空间。

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