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功率器件研发工程师

1.5-2.5万
成都市硕士不限经验

职位描述

SGT MOS芯片设计
职位描述 : 负责SGT MOS设计开发项目
1、负责芯片设计与开发,能独立解决开发过程中的相关设计、工艺、测试、可靠性等问题;
2、制作项目开发计划及立项文件,建立项目开发数据库;
3、负责项目关键节点数据收集、分析、整理,推进项目各节点审批;
4、提供自研产品失效分析及技术支持,协助公司内部解决该类产品的客诉问题;
职位要求 :
1、硕士及以上学历优先;
2、微电子等相关理工科专业,熟悉半导体器件原理及芯片制造工艺;
3、3年以上设计开发相关经验,熟悉SGT MOS芯片设计、工艺流程以及产品测试;
4、能熟练使用Sentaurus/Silvaco等半导体器件仿真软件,以及Virtuoso/Ledit等版图绘制软件;
5、良好的数据分析及总结能力,良好的英文沟通及阅读能力

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