功率器件研发工程师

1.器件设计与仿真：根据市场需求，（新能源，光伏逆变器 半桥 全桥 整流 PFC ）定义器件规格。使用TCAD工具进行器件结构设计与电学特性仿真

2.工艺开发与优化：主导关键项目模块开发。

（IGBT减薄与离子注入）解决工艺瓶颈问题

3.测试与可靠性验证：制定器件测试方案，如静态参数测试，动态Switch测试.主导可靠性试验（HTRB,功率循环），技术文档与专利撰写

任职要求：

1.学历：硕士以上

2.专业：电力电子，微电子，电气工程，材料学

3.工作经验、技能要求：精通功率器件（IGBT MOS SIC/GAN)工作原理与设计方法。 TCAD仿真工具(Sentaurus Silvaco)及EAD工具（Cadence,Mentor)

4.熟悉半导体制造工艺（光刻 刻蚀 离子注入 减薄），2年以上功率器件研发经验，有量产案例。熟悉行业标准