ALD工艺研发工程师

1、负责新型存储器研发所需的先进原子层沉积薄膜材料生长以及工艺研发，对材料进行系统表征测试（TEM，XRD，SIMS，SEM，AFM等）；

2、依据研发项目需求，调研文献和开展实验，确定优化工艺条件，保障整体研发进度；

3、引入和评估新材料、新机台、新功能，并降低工艺成本；

4、熟练使用数据统计分析软件及实验设计工具（DOE）；

5、分析数据并总结科技研发报告，定期汇报研发进展，撰写相关科技论文和申请专利。

任职要求：

1、电子类/物理/化学/材料等相关专业，硕士及以上学历，经验丰富者学历可放宽至本科；

2、5-10年12寸 ALD相关研发经验；2-5年经验的初级工程师也可；

3、较强的沟通表达能力、组织协调能力和团队合作精神；

4、具有优秀的英文阅读和写作能力；

5、具有良好的研发能力和思维，吃苦耐劳，能适应半导体研发工作模式；

6、有本领域发明专利申请经验者优先；

7、因业务需要，本岗位会去安徽合肥出差，每2-3个月去安徽合肥一次。预计出差情况持续2年。2年后，ALD团队将长期在北京工作。