Memory Compiler设计专家(J10160)
3-5万杭州市硕士不限经验
职位描述
1. 存储器编译器设计与开发 -主导或参与SRAM、ROM、Register File等存储单元编译器（Memory Compiler）的架构设计、电路优化及版图生成工具开发。确保设计符合的设计规则（DRC/LVS）、可靠性要求（如电迁移、噪声容限）及良率目标。
2. 工艺适配与性能优化 - 深入理解工艺特性（如寄生参数、器件匹配性、电压降效应），优化存储单元的面积、功耗、速度（时序收敛）PPA和稳定性（SNM/Write Margin）。 解决因短沟道效应、漏电问题导致的存储单元性能挑战。
3. 跨团队协作 - 与工艺团队（Foundry）对接，确保工艺参数准确集成至设计流程；支持客户或SoC团队完成存储器模块的定制化需求，提供时序模型（Liberty）、功耗模型及物理版图集成方案。
4. 自动化流程开发 - 开发脚本工具（Python/Tcl/Perl）优化编译器自动化流程，提升生成效率与可扩展性；构建验证框架，确保输出结果（GDSII、网表、时序模型）的准确性。
5. 技术文档与问题支持- 编写设计指南、用户手册及问题排查文档；协助解决客户在流片或测试阶段遇到的存储单元相关问题。
任职资格:
1.15年以上存储器编译器或定制电路设计经验，至少参与过2个先进工艺的流片项目。
2.有低功耗、高速高密度Memory compiler设计经验，
3.熟悉Memory Compiler生成流程, 具备Python/Tcl/Perl脚本开发经验。
4.掌握存储单元电路设计（如6T-SRAM、Dual-Port Memory）及时序/功耗优化方法。
5.熟悉PDK中的器件模型、设计规则及可靠性约束。
6.熟练使用 Virtuoso、PrimeSim XA、Calibre等工具完成电路仿真、版图设计及物理验证。
7.微电子学、集成电路设计、电子工程等相关专业硕士或博士学历。
8.具备较强的逻辑分析能力与抗压能力，能独立解决复杂技术问题。
9.良好的团队协作意识，适应多任务并行工作模式。
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