芯片工艺工程师（镀膜）

1、核心设备维护与优化

负责立式炉、退火机、CVD（化学气相沉积）、PVD（物理气相沉积）等关键设备的预防性维护与故障排除，确保设备稼动率≥98%。制定设备定期保养计划，优化真空系统、气体管路等核心部件的维护方案，降低非计划停机时间。

2、薄膜工艺开发与量产转化

主导金属薄膜（如铜 / 铝布线）、陶瓷薄膜（如氮化硅钝化层）、复合薄膜（如金属 - 氧化物堆叠结构）的工艺开发，通过 DOE 实验设计优化沉积参数（如温度、气压、功率），实现薄膜厚度均匀性 ±1%、应力梯度＜0.1GPa/cm 的技术指标。负责新工艺从研发到量产的全流程转化，编写 SOP 文件并培训产线团队。

3、新机台导入与验证

参与薄膜沉积设备（如 PECVD、ALD）的选型评估，主导新机台的安装调试与性能验证。通过 Ellipsometer 椭偏仪、XRR X 射线反射率等精密仪器，验证薄膜厚度、成分及界面质量，确保设备符合 6 寸晶圆量产标准。

线上异常快速响应

4、建立工艺监控体系，通过 SPC 统计过程控制实时监测薄膜沉积数据，对厚度偏差、颗粒污染等异常情况启动 FMEA 失效模式分析，2 小时内制定临时对策并推动根本原因改善，确保良率波动＜0.5%。

任职要求：

专业背景与经验

1、材料科学与工程、电子工程、物理等相关专业本科及以上学历，3 年以上半导体薄膜工艺经验，熟悉 6 寸晶圆厂生产流程。需具备以下核心能力：

2、精通 CVD/PVD 设备操作，有应用材料（Applied Materials）、泛林半导体（Lam Research）等主流设备维护经验者优先

3、掌握薄膜缺陷分析方法（如 SEM 电镜检测、AFM 原子力显微镜），能独立解决成膜不均匀、附着力不足等问题

4、熟悉功率器件（如 MOSFET、IGBT）薄膜工艺，有氮化镓（GaN）外延层沉积经验者加分

5、熟练使用 Minitab/JMP 进行数据分析，掌握 FMEA、8D 等问题解决工具。熟悉半导体工艺仿真软件（如 Silvaco）者优先。

6、接受 12 小时轮班制（含夜班），具备较强的抗压能力和应急处理能力。需持有半导体工艺工程师认证（如 IPC-A-610）者优先。