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晶湛半导体由硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延技术的开创者程凯博士于2012年3月在中国苏州工业园区创立,专注于为电力电子和微显示领域提供高品质的氮化镓外延材料解决方案。作为全球唯一能够供应300mm硅基氮化镓外延产品的公司,晶湛半导体的技术水平处于国际领先地位。

在发展过程中,晶湛半导体创造了多项业界第一。2014年底,晶湛半导体率先在全球发布了商用8英寸硅基氮化镓外延片,经下游客户验证,其技术指标和性能均达到全球顶尖水平,填补了国内氮化镓产业的空白。2021年9月,晶湛半导体再次领先全球推出12英寸硅基电力电子氮化镓外延片,受到广泛关注。经过多年深耕,晶湛半导体已成为国内GaN材料研发和产业化的领头羊,与全球数百家知名半导体科技企业和高校科研机构建立了深入合作,并在Nature Electronics、IEEE Electron Device Letters和国际顶级会议IEDM等权威期刊和会议上多次发布创新成果,获得了国际半导体界的高度认可。

晶湛半导体注重自主研发和知识产权保护,在氮化镓外延领域掌握了多项核心技术,拥有完全独立的自主知识产权。截至目前,公司已在国内和国际申请超过600项专利,其中已有超过160项获得授权。此外,晶湛半导体还荣获了苏州市技术发明一等奖、苏州工业园区专利授权十佳企业、苏州工业园区知识产权高质量创造奖、江苏省百件优质发明专利、江苏省高质量发明专利、苏州市优秀专利奖、国家高新技术企业、苏州市独角兽培育企业、苏州市企业工程技术研究中心等多项荣誉和资质。

苏州晶湛半导体有限公司将继续秉持“成为世界领先的第三代半导体材料供应商”的愿景,为客户创造价值。