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**公司简介**
广州微纳光刻材料科技有限公司成立于2020年，是广东省内唯一专注于研发90nm至55nm制程高端半导体芯片制造所需的193nm光刻胶及相关材料的高科技企业。公司为包括中芯国际、广州粤芯在内的客户提供定制化的光刻胶解决方案。
自2016年起，公司开始致力于ArF国产光刻胶的研发项目。创始人在珠海横琴成立的光刻胶树脂公司率先进行自主研发，并在上海、北京等地的客户生产线上的ASML光刻机（涵盖90nm、65nm、55nm制程）上进行了大量评估实验。研发成果的关键技术指标，如分辨率（DOF）等，已超越现有行业领先产品，居于国内领先地位。总部位于广州南沙区，并在珠海、上海设有研发中心和实验室。
**团队简介**
技术团队以原英特尔博士为核心，负责光刻胶材料的研发工作。团队还拥有一名在日本有着多年光刻胶工艺技术经验的资深专家，负责生产工艺和质量控制。两位来自中芯国际光刻部门的光刻专家则负责曝光评估和市场策划。团队的核心成员在光刻胶材料开发和应用领域积累了丰富的经验。此外，公司聘请了资深的财务和法务顾问，负责风险管理和合规性。运营模式借鉴了国际领先的光刻胶和半导体公司的最佳实践。公司已选择符合安全生产标准的浙江嘉兴与广东新丰两座工厂进行代工生产，并严格遵循SPC原则进行生产和质量管理。
**产品介绍**
广微纳公司已成功注册“纳刻”商标，推出了纳刻系列光刻胶产品。这些产品均基于本土研发，拥有完整的自主知识产权。特别是在ArF光刻胶系列中，公司提供性能卓越的ArF干法光刻胶。经中芯北京55 nm节点产线评测，其DOF（分辨率）大于300 nm@ 81 nm L/S，显著优于市面上的商用ArF干法光刻胶。
**原材料与专利**
公司对ArF感光树脂和光敏剂的专利技术享有使用权，确保了原材料的独占供应。所有光刻胶原材料均由珠海公司独家提供，从而保证了产品的独特竞争力。
**专利信息**
公司拥有两项ArF光刻胶的中国发明专利，覆盖了从90nm至55nm的线型和孔洞型光刻胶配方。其中，“一种适用于90~60nm半导体工艺的ArF光刻胶及其制备方法与应用”专利于2021年3月获得授权，专利号为ZL 201910388389.4。
**公司发展现状与规划**
广微纳公司凭借其资本实力和技术积累，成功实现了ArF光刻胶的国产化开发，填补了国内高端光刻胶材料市场的空白。目前，公司提供的ArF光刻胶加仑样品正在接受客户的测试。未来，公司将根据半导体客户的具体需求进行定制化产品开发，旨在提升生产良率和扩展工艺窗口，提供高性能的光刻胶解决方案。
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