浙江广芯微电子有限公司

广芯微电子公司建设项目分为两期进行，计划总投资约30亿元，总占地面积148亩。一期新建厂房及配套设施占地3万余平方米，主要面向6英寸高端硅基功率半导体器件，包括IGBT和TMBS等产品。二期新建厂房及配套设施占地1.4万余平方米，主要面向第三代半导体碳化硅和氮化镓功率器件以及8英寸高端硅基功率器件，包括中低压分立栅（Split-gate Trench MOS）、超级结（CoolMOS）和高压BCD工艺等。

二期建设全部完成后投产，将实现年产折合6英寸240万片高端特色硅基功率半导体晶圆及年产3.6万片第三代半导体碳化硅和氮化镓晶圆，以满足我国在能源革命、高压轨道交通和特高压电力系统等领域对功率半导体分立器件和电源管理芯片的需求。

项目建成后可形成年产240万片6英寸高端特色硅基晶圆的生产能力，预计达产后可实现年营业收入28.5亿元、税收1.1亿元、营业利润2.8亿元，新增就业960余人。