鼎泰芯源招聘
20-99人
公司优势
珠海鼎泰芯源晶体有限公司,成立于2017年3月,位于广东省珠海市高新技术产业区金鼎工业园。总投资7600万元,占地5600平方米。
公司致力于以磷化铟(InP)为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料的国产化事业,于2017年与中国科学院半导体研究所共同成立“化合物半导体晶体材料联合实验室”,目标是成为国际一流晶体材料公司。
产品主要应用于光纤通信、光探测器、红外光学、高频毫米波通信等领域。
公司建立了包括2位研究员、4位博士等高层次人才在内20多人的高水平研发团队,拥有VGF、VB法晶体生长技术、高表面质量线切割技术、超平整机械化学抛光技术、超洁净表面清洗技术等40余项半导体单晶相关的核心专利技术。并计划于2019年下期成立院士工作站及博士后创新实践基地,为公司的后续发展奠定坚实基础。
2017年4月1日已经与珠海高新技术产业开发区管理委员会签署了“鼎泰芯源磷化铟晶圆研发生产基地项目投资合作协议”,依靠高新技术产业区的相关优越政策,为产业的发展提供坚实基础。
2017年4月20日与中国科学院半导体研究所成立“化合物半导体晶体材料联合实验室”,实现国内第一条具有自主知识产权磷化铟衬底材料生产线。目前已申请拥有40项专利,期中发明专利25项,实用新型15项。打破国外企业在磷化铟衬底材料行业的垄断。
公司秉承“客户第一优先”的合作原则,为客户提供及时的售前及售后服务和技术支持。
2018年我司参加第七届中国创新创业大赛,获得新材料行业全国总决赛三等奖。
公司致力于以磷化铟(InP)为主的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料的国产化事业,于2017年与中国科学院半导体研究所共同成立“化合物半导体晶体材料联合实验室”,目标是成为国际一流晶体材料公司。
产品主要应用于光纤通信、光探测器、红外光学、高频毫米波通信等领域。
公司建立了包括2位研究员、4位博士等高层次人才在内20多人的高水平研发团队,拥有VGF、VB法晶体生长技术、高表面质量线切割技术、超平整机械化学抛光技术、超洁净表面清洗技术等40余项半导体单晶相关的核心专利技术。并计划于2019年下期成立院士工作站及博士后创新实践基地,为公司的后续发展奠定坚实基础。
2017年4月1日已经与珠海高新技术产业开发区管理委员会签署了“鼎泰芯源磷化铟晶圆研发生产基地项目投资合作协议”,依靠高新技术产业区的相关优越政策,为产业的发展提供坚实基础。
2017年4月20日与中国科学院半导体研究所成立“化合物半导体晶体材料联合实验室”,实现国内第一条具有自主知识产权磷化铟衬底材料生产线。目前已申请拥有40项专利,期中发明专利25项,实用新型15项。打破国外企业在磷化铟衬底材料行业的垄断。
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