英诺赛科(苏州)半导体有限公司

英诺赛科成立于2015年12月，专注于新型第三代半导体材料、器件及集成电路的研发与制造，是全球首家实现8英寸硅基氮化镓材料与器件大规模量产的高科技公司。目前拥有员工1400余人，全球专利超过700项。公司在珠海设有研发中心及生产基地，在苏州设有管理中心及大规模生产基地，在深圳设有应用研发中心，并在日本、韩国、欧洲、美国等地设有办事处或代表处。

英诺赛科掌握从8英寸硅基氮化镓材料、器件到集成电路设计、制造的全产业链核心技术，汇集了全球半导体产业精英人才，打造国际一流的功率半导体品牌，并与多家国际技术研发机构合作，形成跨国创新联盟。

公司采用IDM（集成器件制造商）全产业链模式，构建集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体的第三代半导体生产平台。产品包括高低压功率半导体器件、IC及功率模块，是目前全球唯一能同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。公司产品具备小尺寸、高性能、低成本、高可靠性的优势，广泛应用于新能源汽车、人工智能、光伏储能、无线充电与快充、数据中心等领域。

2023年，英诺赛科以205亿元人民币的估值入选2022年胡润百富全球独角兽企业榜单，位列第310位。