无锡旷通半导体有限公司
20-99人
公司优势
无锡旷通半导体有限公司成立于2023年3月,注册资本500万元,是一家专注于车规级和工业级高端超高压大电流功率器材芯片研发、设计、销售的Fabless半导体技术公司。
公司致力于半导体器件技术创新,主要研究方向为超高压平台和超大电流功率器件模块及其电源管理IC芯片模块,多项核心技术已应用于主要产品设计中。目前已开发出十多款高性能功率器件产品,如VLD Diffusion plate FRD、Super junction DTMOS、Trench FS IGBT等,产品性能均达到国际先进水平。公司自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩、逆变器、车载相关用核心芯片已成功量产,打破了技术壁垒,填补了国内产业空白。
公司秉持“深耕高压大电流功率器件平台,大力开拓国内外汽车工业市场”的企业核心价值观,不断扩展核心技术,并积极提升三代半导体如GaN HEMT和SiC MOSFET的设计能力,致力于成为高性能功率器材芯片的国产标杆。公司高度重视客户需求,根据客户的个性化需求加速产品和工艺迭代开发,并提升供应保障能力,以高标准的产品和高品质的服务赢得客户满意。
宗旨:深耕高压大电流功率器件平台,大力开拓国内外汽车工业市场
核心价值观:务实、创新、进取、团结
专注领域:车规级和工业级高端超高压大电流功率器材芯片研发、设计、销售
建设口号:组建一流的设计团队;服务一流的客户群体;把握前沿的科技方向;脚踏实地的匠人精神
公司致力于半导体器件技术创新,主要研究方向为超高压平台和超大电流功率器件模块及其电源管理IC芯片模块,多项核心技术已应用于主要产品设计中。目前已开发出十多款高性能功率器件产品,如VLD Diffusion plate FRD、Super junction DTMOS、Trench FS IGBT等,产品性能均达到国际先进水平。公司自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩、逆变器、车载相关用核心芯片已成功量产,打破了技术壁垒,填补了国内产业空白。
公司秉持“深耕高压大电流功率器件平台,大力开拓国内外汽车工业市场”的企业核心价值观,不断扩展核心技术,并积极提升三代半导体如GaN HEMT和SiC MOSFET的设计能力,致力于成为高性能功率器材芯片的国产标杆。公司高度重视客户需求,根据客户的个性化需求加速产品和工艺迭代开发,并提升供应保障能力,以高标准的产品和高品质的服务赢得客户满意。
宗旨:深耕高压大电流功率器件平台,大力开拓国内外汽车工业市场
核心价值观:务实、创新、进取、团结
专注领域:车规级和工业级高端超高压大电流功率器材芯片研发、设计、销售
建设口号:组建一流的设计团队;服务一流的客户群体;把握前沿的科技方向;脚踏实地的匠人精神
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