湖南三安半导体有限责任公司
1000-9999人
公司优势
先进电力电子技术是清洁性能源转换领域的核心技术，高效率的电力转化是实现节能、环保、低碳社会的重要源动力。碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)作为第三代半导体成熟商用材料的典型代表，凭借传统半导体材料不具备的优异特性，已成为高效率、高频率新型电力电子芯片的重点新材料，在新能源汽车、5G、智能电网、高速轨道交通、半导体照明、消费类电子、航天等领域具有重要应用价值。第三代半导体材料及器件已成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一，属于国家重点支持的战略性新兴产业。
湖南三安半导体有限责任公司为上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司（独立核算），业务覆盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务。项目总投资160亿元，占地1000亩，旨在建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，通过全产业链及大规模生产布局，使公司节能芯片产品具备高性能、低成本、高可靠性的市场竞争优势。项目位于长沙高新技术产业开发区管理委员会园区内，投资建设第三代半导体研发及产业化项目，涵盖长晶（SiC）—衬底制作（SiC）—外延生长—芯片制备—封装全产业链，研发、生产和销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET；以及大电流200V、增强型650V等代表性GaN功率器件三极管外延、芯片。
湖南三安半导体有限责任公司为上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司（独立核算），业务覆盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务。项目总投资160亿元，占地1000亩，旨在建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，通过全产业链及大规模生产布局，使公司节能芯片产品具备高性能、低成本、高可靠性的市场竞争优势。项目位于长沙高新技术产业开发区管理委员会园区内，投资建设第三代半导体研发及产业化项目，涵盖长晶（SiC）—衬底制作（SiC）—外延生长—芯片制备—封装全产业链，研发、生产和销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET；以及大电流200V、增强型650V等代表性GaN功率器件三极管外延、芯片。
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