苏州晶湛半导体有限公司
100-499人
公司优势
在发展过程中,晶湛半导体创造了多项业界第一。2014年底,晶湛半导体率先在全球发布了商用8英寸硅基氮化镓外延片,经下游客户验证,其技术指标和性能均达到全球顶尖水平,填补了国内氮化镓产业的空白。2021年9月,晶湛半导体再次领先全球推出12英寸硅基电力电子氮化镓外延片,受到广泛关注。经过多年深耕,晶湛半导体已成为国内GaN材料研发和产业化的领头羊,与全球数百家知名半导体科技企业和高校科研机构建立了深入合作,并在Nature Electronics、IEEE Electron Device Letters和国际顶级会议IEDM等权威期刊和会议上多次发布创新成果,获得了国际半导体界的高度认可。
晶湛半导体注重自主研发和知识产权保护,在氮化镓外延领域掌握了多项核心技术,拥有完全独立的自主知识产权。截至目前,公司已在国内和国际申请超过600项专利,其中已有超过160项获得授权。此外,晶湛半导体还荣获了苏州市技术发明一等奖、苏州工业园区专利授权十佳企业、苏州工业园区知识产权高质量创造奖、江苏省百件优质发明专利、江苏省高质量发明专利、苏州市优秀专利奖、国家高新技术企业、苏州市独角兽培育企业、苏州市企业工程技术研究中心等多项荣誉和资质。
苏州晶湛半导体有限公司将继续秉持“成为世界领先的第三代半导体材料供应商”的愿景,为客户创造价值。
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