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功率器件研发工程师

1.1-1.7万·14薪
西安市本科不限经验

职位描述

工作职责:
1,Trench MOS和SGT MOS芯片开发
2,产品开发需求评估,立项评审和研发项目管理
3,器件仿真,版图设计,竞品分析
4,FAB对接,晶圆异常的分析和处理
5,行业前沿的技术调研和分析。
能力要求:
1, 熟悉MOSFET器件的工作原理,结构等特性
2, 熟悉MOSFET器件的生产工艺及过程
3, 会使用数据分析软件,熟悉质量分析手法
4, 了解器件仿真软件和candence软件
5, 逻辑清晰,较强的沟通协调能力和团队协作能力
6, 独立担当重点研发项目,有较强的抗压能力
1.3,学历要求:半导体微电子相关专业 ,本科或研究生学历
1.4,工作经验要求:从事半导体功率器件工艺或设计开发领域 2年以上工作经验
1.5,工作地点:无锡/西安

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